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J-GLOBAL ID：200903047974330930
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993164831
Publication number (International publication number)：1995074245
Application date： Jul. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 誘電率が低く、かつ吸湿性の低いF添加SiO2 膜を提供する。【構成】 半導体装置を構成する配線を電気的に隔離する絶縁膜を形成する方法であって、少なくともシリコン、酸素、フッ素を含有する原料ガスを用い、イオンエネルギーE(eV)とガス圧力P(Torr)との関係がP≧5×10-4、P≦10-1×10-E/45を満たし、イオンエネルギーE(eV)とプラズマ密度D(/cm3 )との関係がD≧2×1011×10-E/45 (ただし、10≦E≦100)を満たす条件で、プラズマCVD法により、フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体装置を構成する配線を電気的に隔離する絶縁膜を形成する方法であって、フッ素を構成元素として含む有機シランガスを用いたプラズマCVD法により、フッ素を含むシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/768
, C23C 16/40
, H01L 21/31
, H01L 21/316
H01L 21/90 P
, H01L 21/31 C
