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J-GLOBAL ID：200903047978579347

半導体製造用マスクのパターン補正方法およびそのパターン補正方法を記録した記録媒体

Inventor： 吉川 圭 ,  臼井 聡 ,  橋本 耕治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999260270
Publication number (International publication number)：2001083689
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】十分な補正精度を得ることができる半導体製造用マスクのパターン補正方法を提供すること。【解決手段】ライン部とコンタクト部とが重なった領域を抽出し(ST.1)、上記重なった領域とこの重なった領域に隣接する他のライン部とのスペース、および前記ライン部のライン幅を抽出し(ST.2)、ウェーハプロセス後に生ずるライン部のライン幅変動量とスペースとの依存性を取得し(ST.3)、依存性を設計グリッド幅毎に分割し、この設計グリッド幅と依存性との交点を抽出し(ST.4)、関係を交点区間毎に区切り、交点区間毎に、設計グリッド幅の整数倍の補正を行う補正ルールテーブルを作成し(ST.5)、上記重なった領域に対し、補正ルールテーブルに基いた設計グリッド幅の整数倍の補正を行う(ST.6)。

Claim (excerpt)：

ライン部とコンタクト部とが重なった領域を抽出する第1の工程と、前記重なった領域とこの重なった領域に隣接する他のライン部とのスペース、および前記ライン部のライン幅を抽出する第2の工程と、前記ライン幅毎に、ウェーハプロセス後に生ずる前記ライン部のライン幅変動量と前記スペースとの関係を取得する第3の工程と、前記関係を設計グリッド幅毎に分割し、この設計グリッド幅と前記関係との交点を抽出する第4の工程と、前記関係を交点区間毎に区切り、前記交点区間毎に、前記設計グリッド幅の整数倍の補正を行う補正ルールテーブルを作成する第5の工程と、前記スペースと前記交点区間との対応関係を求め、前記補正ルールテーブルに基いた前記設計グリッド幅の整数倍の補正を、前記重なった領域に対して行う第6の工程とを具備することを特徴とする半導体製造用マスクのパターン補正方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 T ,  G06F 15/60 658 M ,  H01L 21/30 502 W

F-Term (4)：

2H095BB01 ,  2H095BD31 ,  5B046AA08 ,  5B046BA04