Pat

J-GLOBAL ID：200903047982414573

半導体装置の評価方法

Inventor： 山下 洋
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992052379
Publication number (International publication number)：1993259240
Application date： Mar. 11, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置のアスペクト比の大きいコンタクト窓を簡単に観察できるようにする。【構成】 半導体装置表面に導電膜15を蒸着するとともに、導電膜15に接地電位を印加し、半導体基板11に負の電圧を印加する。そして、半導体装置を走査電子顕微鏡で観察し、コンタクト窓13の開口の良否を二次電子像のコントラストの差により評価する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された半導体装置表面に導電膜を蒸着する工程と、前記導電膜を接地電位にし、前記半導体基板に負の電圧を印加し、走査電子顕微鏡により、前記半導体装置の二次電子像を観察する工程を含むことを特徴とする半導体装置の評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  H01J 37/26