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J-GLOBAL ID：200903047983504312

薄膜形成方法

Inventor： 松井 功 ,  宇井 明生
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182151
Publication number (International publication number)：1993029308
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、高アスペクト比の溝内にステップカバレッジが良好な薄膜を形成することのできる薄膜形成方法を提供することにある。【構成】 反応容器1内に表面に溝あるいは段差が形成された試料4を収容し、ガス導入口6から反応容器1内に原料ガスとして少なくともSiHx F4-x (xは0〜3の中から選ばれる任意の整数)、Si2 Hy F6-y (y は0〜5の中から選ばれる任意の整数)、あるいはハロゲン原子を含有した有機シランガスの内から選ばれる一種類以上のガスとこれら原料ガスと化学反応しうる酸素を含有する反応性ガスをプラズマ装置8により励起しながら導入し、試料4の表面の溝あるいは段差に薄膜を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

反応容器内に表面に溝あるいは段差が形成された試料を収容し、反応容器内に原料ガスとして少なくともSiHx F4-x (x は0〜3の中から選ばれる任意の整数)、Si2 Hy F6-y (y は0〜5の中から選ばれる任意の整数)、あるいはハロゲン原子を含有した有機シランガスの内から選ばれる一種類以上のガスとこれら原料ガスと化学反応しうる酸素を含有する反応性ガスをプラズマにより励起しながら導入し、前記試料表面の溝あるいは段差に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-268429
  
• 特開平3-083334
  
• 特開昭60-250635
  
• 特開昭60-144940
  
• 特表平6-507942