SOI基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104518
Publication number (International publication number)：1998293320
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来、透明基板を用いた貼り合わせSOI基板では、基板裏面から光が入射すると、基板上に形成した半導体デバイスに光によるリーク電流が発生し、デバイス特性が劣化し、動作不良の原因となっていた。【解決手段】このためSOI基板の透明支持基板1と単結晶シリコン層2の間に遮光層4を形成することにより、基板裏面からの光入射を遮る構造とした。遮光層4は、貼り合わせ法SOI作製プロセスにおいて単結晶シリコン層を支持基板と貼り合わせる前に支持基板側にあらかじめ形成しておく。

Claim (excerpt)：

透明な支持基板と、前記支持基板の一方の表面に形成された遮光層と、前記遮光層の上に設けられた絶縁体層と、前記絶縁体層の上に形成された単結晶シリコン層とを備えることを特徴とするSOI基板。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-133033
特開平4-152574
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

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