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J-GLOBAL ID：200903048024850615
冷陰極
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337772
Publication number (International publication number)：1995201275
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 極めて微少なサイズで高密度に集積可能な冷陰極の提供。【構成】 導電性基材2表面上に形成された半径500nm以下の大きさを有する一つ以上の孔4を有する絶縁層3と、絶縁層3の孔4に形成した微少電極5と上部電極6とからなり、微少電極5の高さが絶縁層3の高さ以下とした冷陰極で、上部電極6と微少電極5間に低電圧印加でも動作が可能である。また、絶縁層3の分子オーダーまたはクラスターサイズ程度の微少な孔4に電子放出用の微少電極5を有するため、極めて高密度に集積が可能な冷陰極で、集積冷陰極素子の並列駆動により、素子の長寿命化が図られ、電流雑音も極めて少なくなる効果がある。
Claim (excerpt)：
金属または半導体の少なくとも何れかを含む導電性基材と、前記導電性基材の一表面上に形成された少なくとも1つ以上の孔を有する絶縁層と、前記孔に形成された前記絶縁層の厚み以下の高さを有する微少電極と、前記絶縁層の前記導電性基材と対向する面上に形成され、かつ、前記微少電極と非接触の上部電極とを具備したことを特徴とする冷陰極。
Patent cited by the Patent：
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