Pat

J-GLOBAL ID：200903048043848575

タングステンスパッタリングターゲット

Inventor： 阿南 純一 ,  叶野 治
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993246031
Publication number (International publication number)：1995076771
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高密度、更には高密度・高純度タングステンターゲットの開発。【構成】 タングステン粉末焼結体を水素雰囲気中で2000°C以上に加熱し、その後熱間圧延することにより相対密度99.5%以上でありそして平均粒径が10μmを超え200μm以下であるタングステンスパッタリングターゲットが得られる。高純度化処理したタングステン粉末を使用することにより0:20ppm以下、C:30ppm以下、他の不純物の合計:10ppm以下、U及びTh:各0.1ppb以下のターゲットを得ることができる。パーティクル低下及びソフトエラー低減による信頼性向上、膜比抵抗の改善に寄与する。

Claim (excerpt)：

相対密度が99.5%以上であり、平均粒径が10μmを超え200μm以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。