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J-GLOBAL ID：200903048046936653

プラズマエッチング装置

Inventor： 石崎 善睦
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993089563
Publication number (International publication number)：1994302555
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 クランプ板19の本体19aがエッチングされるのを防止し、ウエハ14や装置の汚染を防止することができながら、しかもクランプ板19とウエハ14とを同電位にして被エッチング膜の形状に悪影響を与えずに被エッチング面でのプラズマエネルギーを小さくすることができ、例えばポリシリコン膜をエッチングする場合の下地酸化膜が薄かったり、またパターンサイズが小さかったりしてもプラズマによる下地酸化膜の変質を防止することができ、下地酸化膜の耐電圧を高めることができるプラズマエッチング装置10を提供する。【構成】 エッチングガスの導入路16、排気路17、上部電極12、下部電極13及び下部電極13上にウエハ14を押圧固定するクランプ板19等を備えたプラズマエッチング装置10において、クランプ板19の本体19aが導電性の金属を用いて形成され、本体19aの表面が下部電極13に対向する一部分を除いて絶縁層19bで覆われているプラズマエッチング装置10。

Claim (excerpt)：

エッチングガスの導入路、排気路、上部電極、下部電極及び該下部電極上にウエハを押圧固定するクランプ板等を備えたプラズマエッチング装置において、前記クランプ板の本体が導電性の金属を用いて形成され、前記本体の表面が前記下部電極に対向する一部分を除いて絶縁層で覆われていることを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H05H 1/46