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J-GLOBAL ID：200903048057601270
窒化物系半導体素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997318148
Publication number (International publication number)：1999150296
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 成長後の熱処理を不要として低廉化及び生産性の向上を図りつつ、p型伝導層の品質を向上させ、長寿命化と信頼性の向上を図る。【解決手段】 サファイア基板11上に、アンドープGaN下地層12、n-GaNコンタクト層13、n-AlGaN電流注入層14、GaN光ガイド層15、InGaN活性層16、GaN層光ガイド17、p-AlGaN電流注入層18、p-GaNコンタクト層19と、p側電極22との積層構造を備えた窒化物系半導体レーザにおいて、p型GaNコンタクト層19の表面酸素濃度を5×1018cm-3以下に設定し、かつ表面付近における酸素濃度の最大値を、面内における酸素濃度の平均値の5倍以下に設定した。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に積層形成された複数の窒化物系半導体層と、前記各窒化物系半導体層のうち、最表面の層として形成された、窒素を構成元素として含むp型化合物半導体層と、前記p型化合物半導体層上に形成されたp側電極と、前記各窒化物系半導体層のうち、前記p型化合物半導体層よりも前記基板に近い位置に形成された、窒素を構成元素として含むn型化合物半導体層と、少なくとも前記p側電極から前記p型化合物半導体層並びにn型化合物半導体層を通る電流路を形成するように、前記各窒化物系半導体層内のいずれかの層或いは前記基板に設けられたn側電極とを備え、前記p型化合物半導体層の表面付近における酸素濃度の最大値は、面内における酸素濃度の平均値の5倍以下であることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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