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J-GLOBAL ID：200903048058664560
成膜方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297042
Publication number (International publication number)：1995153696
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】有機金属化学気相成長法(MOCVD法)によりボロン含有絶縁膜(BSG膜,BPSG膜)を形成する成膜方法に関し、形成される膜中にボロンが均一に含有され、かつパウダー等の発生の少ないボロン含有絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】所定の温度に設定された容器4b,4c内の1又は2以上の不純物ソースからキャリアガスを介して不純物ソースガスを供給し、成膜中に1又は2以上の不純物を添加する成膜方法において、特定の前記不純物ソースの設定温度を下げ、かつ該不純物ソースに供給するキャリアガスの流量を増すことによって前記絶縁膜中の不純物含有量のばらつきを少なくすることを含む。
Claim (excerpt)：
所定の温度に設定された容器内の1又は2以上の不純物ソースからキャリアガスを介して不純物ソースガスを供給し、成膜中に1又は2以上の不純物を添加する成膜方法において、特定の前記不純物ソースの設定温度を下げ、かつ該不純物ソースに供給するキャリアガスの流量を増すことによって形成される膜中の不純物含有量のばらつきを少なくすることを特徴とする成膜方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
