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J-GLOBAL ID：200903048064836208

配線形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993190121
Publication number (International publication number)：1995045554
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 微細なコンタクト・ホール内で信頼性の高いオーミック・コンタクトを形成する。【構成】 コンタクト・ホール3の底面に露出する拡散層2の表面の自然酸化膜5をハロゲン系ガスのプラズマを用いて還元除去した後、基板を大気開放せずに連続してCVDを行い、CVD-TiN(200)膜6を成膜する。これにより、Si(100)面とTiN(200)面との結晶配向の連続性を高め、オーミック性を向上させる。【効果】 従来のH2 を主体とするプラズマによる自然酸化膜の還元除去に比べて、拡散層2へのダメージが少ない。オーミック性確保のためのTi膜の成膜工程が省略でき、またTi膜を成膜したとしてもその膜厚が少なくて済むので、スループットが向上する。

Claim (excerpt)：

CVD装置内で基板上の導電材料層の表面の自然酸化膜をハロゲン系化合物を含むガスのプラズマを用いて除去した後、同一装置内で連続的にCVDを行い、前記導電材料層の露出面上に少なくともTiN膜を成膜することを特徴とする配線形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C