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J-GLOBAL ID：200903048096978616

ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード

Inventor： 金丸 浩 ,  荻野 慎次
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240170
Publication number (International publication number)：2001068688
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜を介して導電材を充填したトレンチを有するショットキーバリアダイオードについて、逆漏れ電流を低減し、順方向特性と逆方向特性のトレードオフの改善されたものを実現できる製造方法を提供する【解決手段】半導体基板の表面層にトレンチ4を形成し、トレンチ4の内面に酸化膜7を形成し、ポリシリコン膜8を充填し、メサ部5上のポリシリコン膜8および酸化膜7を除去し、ほぼトレンチ4の側壁酸化膜7aの高さ迄メサ部5を削った後、メサ部5の上端面にショツトキー接合を形成するバリア金属膜9を被着する。メサ部を削る方法は、ウェットエッチング、ドライエッチング、CMP法のいずれでも良いが、メサ部の酸化膜で被覆されていない側壁長さを200nm以下にすることが重要である。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を介して導電材を充填したトレンチを有するショットキーバリアダイオードの製造方法において、半導体基板の表面層にトレンチを形成し、トレンチ内面に酸化膜を形成し、トレンチ内に導電材を充填し、メサ部上の導電材および酸化膜を除去し、ほぼトレンチ側壁の酸化膜の高さ迄メサ部を削った後、メサ部上端面にショツトキー接合を形成するバリア金属膜を被着することを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。

F-Term (16)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104EE01 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20