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J-GLOBAL ID：200903048099446941
発光ダイオード
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993070815
Publication number (International publication number)：1994260684
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 特にMIS構造を有する発光素子を用いた場合に、凹面状反射面の全体が光って見え、且つリード等による影の影響を抑えることができる発光ダイオードを提供する。【構成】 発光素子12は、発光層の材料にGaNを用いたMIS構造を有するものである。発光素子12の放射面24に対向する面S2 に陽極電極及び陰極電極が形成され、陽極電極が形成された部分が発光層となる。かかる発光素子12は凹面状反射面22に対向する面S1 の中心軸に対して角度が90度以下である方向に光を放射する。凹面状反射面22の端縁を含む面S3 は発光素子12の凹面状反射面22に対向する面S1 と同一平面上にあるように形成される。
Claim (excerpt)：
発光素子と、前記発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子が発した光を反射する凹面状反射面とを有し、前記凹面状反射面により反射された光を外部に放射する発光ダイオードにおいて、前記凹面状反射面の端縁を含む面と前記凹面状反射面に対向する前記発光素子の面との距離が前記発光素子の高さの10分の1以下であることを特徴とする発光ダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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