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J-GLOBAL ID：200903048109205719

薄膜太陽電池の製造方法および製造装置

Inventor： 佐藤 広喜
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104130
Publication number (International publication number)：1998294479
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】接続孔や集電孔での接続抵抗は低く、太陽電池特性の良好な薄膜太陽電池を製造でき、量産性に富む薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性で可撓性の基板1aの一面上に光電変換層を挟んで基板側に第1電極層、反対側に透明な第3電極層が設けられており、前記第1電極層は基板の他面上に形成されている第2電極層と基板を貫通する接続孔の内面で接続され、前記第3電極層は基板の他面上に形成されている第4電極層と基板を貫通する集電孔の内面で接続されている薄膜太陽電池の製造方法であって、前記接続孔または集電孔の開孔がポンチP1とダイD1を用いる打ち抜き加工によってなされる薄膜太陽電池の製造方法において、前記ダイの前記基板に面する面とポンチの貫通する穴の内壁面とがなす稜にRを付ける。Psはストリッパープレートである。

Claim (excerpt)：

絶縁性で可撓性の基板の一面上に光電変換層を挟んで基板側に第1電極層、反対側に透明な第3電極層が設けられており、前記第1電極層は基板の他面上に形成されている第2電極層と基板を貫通する接続孔の内面で接続され、前記第3電極層は基板の他面上に形成されている第4電極層と基板を貫通する集電孔の内面で接続されている薄膜太陽電池の製造方法であって、前記接続孔または集電孔の開孔がポンチとダイを用いる打ち抜き加工によってなされる薄膜太陽電池の製造方法において、前記ダイの前記基板に面する面とポンチの貫通する穴の内壁面とがなす稜にはRが付けられていることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H05K 3/42 610

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H05K 3/42 610 A