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J-GLOBAL ID：200903048110858815

半導体表面の観測方法

Inventor： 大竹 茂行 ,  坂本 明 ,  山本 将央 ,  岩佐 泉
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323267
Publication number (International publication number)：1995153805
Application date： Nov. 29, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体表面の屈折率変化を選択的に観測する。【構成】 半導体基板上に薄膜を形成しながら、当該薄膜の表面層に対し吸収を有しない波長であってp偏光(電界成分が入射面に含まれるように偏光している)の光を入射光とし、この入射光を半導体表面の法線に対して当該半導体の屈折率から決るブリュウスター角またはその近傍の角度傾けて入射し、当該薄膜の表面から得られる反射光を観測する。波長と入射角を設定すれば吸収変化も選択的に測定できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に薄膜を製膜する過程で、当該薄膜の表面層に対し吸収を有しない波長であってp偏光の光を入射光とし、この入射光を半導体表面の法線に対して当該半導体の屈折率から決るブリュウスター角またはその近傍の角度傾けて入射し、当該薄膜の表面から得られる反射光を観測することを特徴とする半導体表面の観測方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00