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J-GLOBAL ID:200903048111979101
有機半導体材料、有機半導体構造物、および、有機半導体装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
吉武 賢次
, 中村 行孝
, 紺野 昭男
, 横田 修孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003085930
Publication number (International publication number):2004006754
Application date: Mar. 26, 2003
Publication date: Jan. 08, 2004
Summary:
【課題】大きな面積で均一で、かつ高い電荷移動特性を持つ有機半導体層を形成することができる有機半導体材料、ならびに、それを利用した有機半導体構造物および有機半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の有機半導体材料は、高分子化合物と低分子化合物とを含んでなる有機半導体材料であって、前記高分子化合物が、所定のπ電子環からなる骨格構造を側鎖の一部に有し、前記低分子化合物が、所定のπ電子系環からなる骨格構造を有し、両末端の少なくとも一方に液晶性を発現するターミナルグループを有するものである。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
高分子化合物と低分子化合物とを含んでなる有機半導体材料であって、前記高分子化合物が、L個の6π電子系環、M個の8π電子系環、N個の10π電子系環、O個の12π電子系環、P個の14π電子系環、Q個の16π電子系環、R個の18π電子系環、S個の20π電子系環、T個の22π電子系環、U個の24π電子系環、および、V個の26π電子系環(ただしL、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、Vはそれぞれ0〜6の整数を表し、L+M+N+O+P+Q+R+S+T+U+V=1〜6とする。)からなる群より選択されるπ電子環からなる骨格構造を側鎖の一部に有し、前記低分子化合物が、前記のπ電子環群から選択されるπ電子系環からなる骨格構造を有し、両末端の少なくとも一方に液晶性を発現するターミナルグループを有する、ことを特徴とする、有機半導体材料。
IPC (4):
H01L51/00
, C08K5/00
, C08L101/12
, H01L29/786
FI (4):
H01L29/28
, C08K5/00
, C08L101/12
, H01L29/78 618B
F-Term (40):
4J002BG041
, 4J002CH061
, 4J002GQ05
, 5F110AA01
, 5F110AA28
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD04
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE42
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
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