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J-GLOBAL ID：200903048118550933
半導体集積回路装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257989
Publication number (International publication number)：1997107005
Application date： Aug. 05, 1987
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 電極接続部分において冷熱が繰り返し作用したような場合でも、その接合部に歪みによる亀裂が発生しないようにして、信頼性が確実に向上されさるようにする半導体集積回路装置を提供するものである。【解決手段】 回路要素が形成されたシリコンチップ11の導出端子部に対して形成された突出電極とされるバンプ21があり、このバンプ21には、基板12の方向に向けて立ち上がる円筒状の周面部21aと、導体層14に平行に対面する端面を形成する平面部21b及び円筒状の周面部21aと平面部21bとを結ぶ角が曲面形状となす曲面部21cとから構成されている。また、半田部材22がバンプ21の円筒状部21a,平面部21b及び曲面部21cを包み込むようにして設定されているとともに、径方向に凸部22aを有する樽形状をなしている。さらに、対面設定されるバンプ21の径と、導体層14の径との比が”1±0.3”以内の状態に設定されるようにした半導体集積回路装置を提供する。
Claim (excerpt)：
回路要素が形成された半導体チップと、この半導体チップの導出端子部に対して形成された突出電極とされるバンプと、上記半導体チップに対面設定され、上記バンプに対応する位置に形成された導体層が形成された基板と、この基板と上記半導体チップとが対面設定された状態で、上記バンプと導体層との間を接続設定する半田部材とを具備し、上記バンプは上記対面される基板の方向に向けて立ち上がる円筒状の周面部と、上記導体層に平行に対面する端面を形成する平面部と、かつ上記円筒状の周面部と上記平面部とを結ぶ角が曲面である曲面部とから構成され、上記半田部材を平面部,上記周面部および上記曲面部を包み込むようにして設定され、かつ径方向に凸部を有する樽形状とするとともに、上記対面設定されるバンプの径と、導体層の径との比が「1±0.3」以内の状態に設定されるようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 R
, H01L 23/12 L
