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J-GLOBAL ID：200903048119446447
半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271414
Publication number (International publication number)：1994125143
Application date： Oct. 09, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【構成】 活性層幅の中心線にワイヤのボンディング位置を一致させる。また複数のワイヤの場合は、中心線に対称にボンディングする。【効果】 広い活性層幅の半導体レーザでも、平行横モードを安定できる。
Claim (excerpt)：
電流注入される活性層が基板に平行で共振器方向に垂直な方向に100μm以上の幅を有する半導体レーザと、該半導体レーザが実装されるパッケージと、該半導体レーザと該パッケージを電気的に接続するボンディングワイヤから成る半導体レーザ素子に於て、該半導体レーザに接続する該ボンディングワイヤが1本以上で、該活性層の幅の中心線に対し該ボンディングワイヤが対称となるように接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 3/18
, H01L 21/60 301
