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J-GLOBAL ID:200903048124614684
固体画像センサ用の部分的ピン止めフォトダイオード
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998007072
Publication number (International publication number):1998209422
Application date: Jan. 16, 1998
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】 光検出器のフィルファクタを拡大するために有用な部分的なピン止めフォトダイオードからなる画素を有する画像センサを提供する。【解決手段】 センサ内の第一の導電性型を有し、センサの表面上に形成された半導体と;半導体内の表面付近に形成され、第一の導電性型と反対の第二の導電性型で形成された少なくとも一つのフォトダイオードと;ピン止めフォトダイオード領域を形成するフォトダイオードの少なくとの一部分にわたり表面上に形成され、第一の導電性型で形成されたピン止め層と;ピン止め層を形成するために用いられた部分の外側の領域の表面付近のフォトダイオード内に形成されたピン止めされない領域とから形成され、ピン止めされない領域はコンデンサとして用いられる浮遊領域として形成される。
Claim (excerpt):
センサ内で第一の導電性型を有し、センサの表面上に形成された半導体と;半導体内の表面付近に形成され、第一の導電性型と反対の第二の導電性型で形成された少なくとも一つのフォトダイオードと;ピン止めフォトダイオード領域を形成するフォトダイオードの少なくとも一部分にわたり表面上に形成され、第一の導電性型で形成されたピン止め層と;ピン止め層を形成するために用いられた部分の外側の領域の表面付近のフォトダイオード内に形成されたピン止めされない領域と;フォトダイオードと外部回路との境界をなすピン止めされない領域に結合された検知ノードとからなる少なくとも一つの画素を有する画像センサ。
IPC (2):
FI (2):
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent: