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J-GLOBAL ID：200903048135306590
薄膜気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992354470
Publication number (International publication number)：1994181181
Application date： Dec. 15, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 加熱されたサセプタの上に置かれたウエハの上に薄膜を生成する装置において、サセプタの加熱は高周波加熱、抵抗加熱などがあった。高周波加熱は保守の際コイルを着脱しなければならず、ノイズを発生するという問題がある。抵抗加熱は回転軸とサセプタの構造が複雑になる。【構成】 サセプタを支持する軸そのものを用いて光エネルギ-をサセプタに与える。軸を透明にし軸の下端から光を導入する。光源が拡散光を発生する場合は、透明軸と真空の境界面で光が全反射するようにする。赤外、可視光を用いる。透明軸の材料は光の波長に応じて適当なものを選ぶ。
Claim (excerpt)：
内部を真空に引くことができ原料ガスを導入し排出できるリアクターと、ウエハを支持するためリアクターの内部に設けられる不透明なサセプタと、サセプタを支持するためにリアクターの内外に渡って設けられる光に対して透明な光導入シャフトと、光導入シャフトの端部近傍に設けられた光源とを含み、光源から出た光が光導入シャフトを透過してサセプタに至りこれによって吸収され熱に変換されることによりサセプタを加熱するようにしたことを特徴とする薄膜気相成長装置。
IPC (4)：
H01L 21/205
, B01J 19/12
, C30B 23/06
, C30B 25/10
