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J-GLOBAL ID：200903048141578020

少なくとも一つの支持基板と極薄層とを備えた構造体の製造方法

Inventor：
オーネット、セシル

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バタヨー、ベヌワ

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ギゼルン、ブルーノ

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モリショー、ウベール

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Applicant, Patent owner：
エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース

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コミツサリア タ レネルジー アトミーク

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Agent (3)： 花村 太 ,  佐藤 正年 ,  佐藤 年哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006508352
Publication number (International publication number)：2006527479
Application date： Jun. 03, 2004
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
少なくとも一つの支持基板(3)と原材料基板(1)から派生された特に半導体材料からなる極薄層(130)、及び選択的に介在層を備えた構造体の製造方法に関する。この方法は、a)前面(10)との間で極薄層(130)よりも実質的に厚さが大なる有用層(13)を移載されるべき層として画定する脆弱ゾーン(12)を内部に有する原材料基板(1)の前記有用層(10)の上に支持基板(3)を分子結合によりボンディングする工程と、b)この移載されるべき有用層(13)を支持基板(3)と共に脆弱ゾーン(12)に沿って原材料基板(1)の残余部分(14)から分離して少なくともこれらの移載された有用層(13)と支持基板(3)からなる中間構造体(4, 4')を得る工程と、c)移載された有用層(13)を薄肉化処理して極薄層(130)を得る工程とを備えたことを特徴とする。電子工学、光電子工学又は光学分野に利用される。
Claim (excerpt)：
電子工学、光電子工学又は光学分野における利用のために少なくとも一つの支持基板(3)と原材料基板(1)から派生された特に半導体材料からなる極薄層(130)とを備えた構造体を製造する方法であって、 a)前面(10)との間で極薄層(130)よりも実質的に厚さが大なる有用層(13)を移載されるべき層として画定する脆弱ゾーン(12)を内部に有する原材料基板(1)の前記有用層(10)の上に支持基板(3)を分子結合によりボンディングする工程、 b)この移載されるべき有用層(13)を支持基板(3)と共に脆弱ゾーン(12)に沿って原材料基板(1)の残余部分(14)から分離して少なくともこれらの移載された有用層(13)と支持基板(3)からなる中間構造体(4, 4')を得る工程、及び c)移載された有用層(13)を薄肉化処理して極薄層(130)を得る工程、 を備えたことを特徴とする構造体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265
FI (3)：
H01L21/02 B ,  H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 国際公開第00/048278号パンフレット
Cited by examiner (6)
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