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J-GLOBAL ID:200903048143210128

レーザースパッター装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池澤 寛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993116642
Publication number (International publication number):1994306603
Application date: Apr. 21, 1993
Publication date: Nov. 01, 1994
Summary:
【要約】【目的】 レーザースパッター法において、レーザービーム照射によりターゲット3の近傍に発生するプラズマ(プルームP)中にできるだけ酸素を取り込むようにして酸素との反応性を高め、超電導膜の特性とくに超電導転移温度、膜表面の平滑性などを向上させることができるレーザースパッター装置1を提供すること。【構成】 プルームPに外部磁場を作用させることに着目したもので、真空チャンバー2内に設けたターゲット3および被スパッター部材(基板6)と、ターゲット3にレーザービームLを照射するレーザー発生手段(レーザー発生器9)と、を有し、レーザービームLを照射するターゲット3の近傍に磁場を発生させる磁場発生手段(磁石8)を設けたことを特徴とする。
Claim (excerpt):
真空チャンバーと、この真空チャンバー内に設けたターゲットおよび被スパッター部材と、前記ターゲットにレーザービームを照射するレーザー発生手段と、を有するレーザースパッター装置であって、前記レーザービームを照射する前記ターゲットの近傍に磁場を発生させる磁場発生手段を設けたことを特徴とするレーザースパッター装置。

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