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J-GLOBAL ID：200903048143726078

固体メモリおよびメモリ形成方法

Inventor： ジェームス・エイ・ブラグ ,  ラング・ティ・トラン ,  トーマス・シー・アンソニー ,  マノジ・ケー・バタチャルヤ ,  ジャニス・ニケル
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998312782
Publication number (International publication number)：1999224483
Application date： Nov. 04, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】精密なアライメントを要せず製造容易で記憶密度の高い固体メモリを提供する。【解決手段】磁気記憶セルのアレイに1組の導体を結合して読み取り、書き込みが行われる固体メモリである。該固体メモリは、導体をパターン形成するプロセス・ステップによって、磁気記憶セルの磁性層もパターン形成されるので、パターン・マスク間で精密なアライメントをおこなう必要がなくなる。さらに、磁気記憶セルが、単一結晶半導体基板上に形成する必要もないので基板に固有の事情による制限が殆ど無い。

Claim (excerpt)：

それぞれ、情報ビットを記憶する磁気記憶セルのアレイと、磁気記憶セルに結合された1組の上部導体が含まれており、上部導体を形成したパターン形成ステップによって、磁気記憶セルもパターン形成されたことを特徴とする、固体メモリ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-058777   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション