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J-GLOBAL ID：200903048164369119

電子管

Inventor： 村松 雅治 ,  須山 本比呂 ,  山本 晃永
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107019
Publication number (International publication number)：1994318447
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 不感帯が薄く、入射電子がpn接合面にまで侵入しない構造の電子線照射型ダイオードを実現し、感度と精度とを向上した電子管を提供する。【構成】 光電面111に光が入射した光電子は、加速され電子線照射型ダイオード200に入射する。電子線照射型ダイオード200の電極271と電極272との間には逆バイアス電圧が印加され、低濃度不純物層220のほぼ全域は空乏化されている。入射加速電子は電子入射面を有する高濃度層240と空乏化された低濃度不純物層220とで運動エネルギを放出し、電子-正孔対を生成する。電子入射面を有する高濃度層240は非常に薄いので、ほとんどエネルギの放出はなされず、空乏領域で実質的に全てのエネルギを放出する。このエネルギの放出によって発生した電子-正孔対から取り出された信号電荷は、電極271および電極272から信号として出力される。

Claim (excerpt)：

半導体電子線検出器を封入した電子管であって、前記半導体電子線検出器は、第1の導電型を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一方の表面に形成された第1の導電型を有する第1の高濃度不純物層と、前記シリコン基板の他方の表面に形成された第2の導電型を有する低濃度不純物層と、前記シリコン基板の前記他方の表面の前記低濃度不純物層領域を取り巻く領域に形成された第1の導電型を有するアイソレーション層と、前記低濃度不純物層の表面に形成された第2の導電型を有する第2の高濃度不純物層と、前記アイソレーション層の表面と前記第2の高濃度層の表面の外周付近を含む領域に形成されたシリコン酸化膜と、前記第1の高濃度不純物層の表面に形成された第1の電極と、前記第2の高濃度不純物層の表面に形成された第2の電極と、から構成され、前記第2の高濃度不純物層の表面から電子を入射することを特徴とする電子管。