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J-GLOBAL ID:200903048165487590

モノリシックマイクロ波集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992023571
Publication number (International publication number):1993226483
Application date: Feb. 10, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体基板の裏面ラッピング時におけるエアー・ブリッジ配線の破壊が防止できることを目的とする。【構成】 エアー・ブリッジ配線32の近傍の半導体基板10上に膜厚がエアー・ブリッジ配線32より厚い絶縁物の緩衝体60を形成した。
Claim (excerpt):
半導体基板上にエアー・ブリッジ配線を形成したモノリシックマイクロ波集積回路において、上記エアー・ブリッジ配線の近傍の上記半導体基板上に膜厚が上記エアー・ブリッジ配線より厚い絶縁物の緩衝体を形成したことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭59-149098

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