Pat

J-GLOBAL ID：200903048167428370

光電子集積回路装置

Inventor： 大淵 真理
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001337766
Publication number (International publication number)：2003142679
Application date： Nov. 02, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】 光電子集積回路装置に関し、CNT層の抵抗値を充分に低く維持できるようにして配線を低抵抗化した光電子集積回路装置を実現し、また、CNT層を受光素子として動作させることができる光電子集積回路装置を実現する。【解決手段】 カーボン・ナノチューブからなるビア5に光を入射させ得る位置に半導体発光素子7が配設されている。

Claim (excerpt)：

カーボン・ナノチューブからなる電極或いは配線に光を入射させ得る位置に半導体発光素子が配設されてなることを特徴とする光電子集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 27/15 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 31/0248

FI (7)：

H01L 27/15 Z ,  H01L 27/15 D ,  H01L 29/06 601 N ,  H01L 27/14 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 P ,  H01L 31/08 F

F-Term (23)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA40 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FC02 ,  4M118FC18 ,  5F033HH00 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV08 ,  5F033VV09 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088EA09