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J-GLOBAL ID：200903048192049197

MRI装置用静磁場発生装置およびそれを用いたMRI装置

Inventor： 中津 真幸 ,  吉野 仁志 ,  星野 伸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立メディコ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999145278
Publication number (International publication number)：2000333929
Application date： May. 25, 1999
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：

【要約】【課題】 磁石重量を低減し、RFシールド上の非対称渦電流発生を抑制した静磁場発生装置を提供する。【解決手段】 静磁場発生装置は、測定空間5を挟んで対向して配置された永久磁石1と、それを支持するヨーク3と、それを所定の間隔で支持するコラム4と、永久磁石1の表面に取付けられた磁極2とから構成される。磁極2は円板状のベース部6と円筒状の第1シム7から成り、中央部に凹部8を有し、永久磁石1からの静磁場を測定空間5に集中する。凹部8内には円板状の渦電流防止材9が配置され、その表面に銅箔から成るRFシールド13の底部13Aが密着配置され、底部13A上に静磁場均一度調整用の磁石片など10が配置される。これにより磁極2の高さH2が磁石片など10の厚さ分減少し磁石重量が低減されると共に、RFシールド13の変形が抑制されて渦電流の発生は対称となる。

Claim (excerpt)：

測定空間に磁場強度分布の均一な静磁場を供給する静磁場発生手段と、測定空間の磁場均一度を調整するための磁石片又は強磁性体片とを具備するMRI装置用静磁場発生装置において、前記静磁場発生手段と前記磁石片又は強磁性体片との間に電気良導体から成る高周波シールドを配設したことを特徴とするMRI装置用静磁場発生装置。

IPC (3)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/421 ,  G01R 33/385

FI (4)：

A61B 5/05 362 ,  A61B 5/05 332 ,  G01N 24/02 540 Y ,  G01N 24/06 510 Y

F-Term (10)：

4C096AB06 ,  4C096AB32 ,  4C096AB42 ,  4C096CA07 ,  4C096CA08 ,  4C096CA16 ,  4C096CA25 ,  4C096CA42 ,  4C096CA62 ,  4C096CA70