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J-GLOBAL ID:200903048205017532
均一バッチ膜被着工程および、それに従って生産されるフィルム
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (5):
熊倉 禎男
, 小川 信夫
, 箱田 篤
, 浅井 賢治
, 平山 孝二
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2008521474
Publication number (International publication number):2009500864
Application date: Jul. 10, 2006
Publication date: Jan. 08, 2009
Summary:
ウエハー基板のバッチにおいて、各ウエハー基板が表面を有して備えられている。各表面は、バッチをなすウエハー基板の各々の表面に同時に適用された材料の層で覆われている。該材料の層は、縁部境界を除く表面一帯にわたり厚さ比4%未満異なる厚さになるように且つ、ウエハー間厚み偏差が3%未満になるように適用される。このように適用された材料の層は酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンであり、また、該材料の層は炭素および塩素を含まない。酸化シリコンまたは酸窒化シリコンの形成には共反応化合物の介在が必要である。窒化シリコンは、硝化共反応化合物の介在によっても形成される。このようなウエハー基板のバッチを形成するプロセスには、ウエハー基板のバッチを収容しているリアクタに前駆体を給送することと、このような材料の層を作成するのに十分な前駆体流量、ウエハー基板温度および総圧にて前駆体を反応させることが伴う。 バッチに含まれる各々のウエハー基板の表面を横切って流動を生じさせるように(少なくとも一つが、リアクタ内のバッチをなすウエハー基板と出口スリットの各々に一致した状態で配列されている)複数のオリフィスとを有する垂直管インジェクタを通じ必要に応じて前駆体と共反応化合物を配送することにより、ウエハー内およびウエハー間の均一性が提供される。
Claim (excerpt):
ウエハー基板のバッチであって、ウエハー基板のバッチに含まれる各ウエハー基板は表面を有し、
該ウェーハ基板のバッチが、バッチをなすウエハー基板の各々の縁部境界を除いた表面に、各ウエハー基板内の厚さ比が4%未満(3シグマ)異なる厚さ且つウエハー間厚み偏差が3%未満で同時に適用された材料の層を備え、前記材料は、xが1.9と2.0の間にあるSiOxと、yが0.75と1の間にあるSiyNと、n/(n+m)が0.2と0.4の間にあるSiOmNnとから成るグループから選択され;前記材料の層が実質的に炭素および塩素を含まない、ウエハー基板のバッチ。
IPC (2):
H01L 21/318
, H01L 21/316
FI (3):
H01L21/318 B
, H01L21/316 X
, H01L21/318 C
F-Term (15):
5F058BA06
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BD04
, 5F058BD10
, 5F058BD15
, 5F058BF04
, 5F058BF06
, 5F058BF07
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BJ01
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