Pat

J-GLOBAL ID：200903048221508929

超高集積半導体装置の製造方法

Inventor： ゼ・スン・ゾン ,  ゼ・ヒョン・バク
Applicant, Patent owner： ゴールド スター エレグトロン カンパニー リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993257521
Publication number (International publication number)：1995106309
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 スパッタエッチングを利用した超高集積半導体装置に適した傾斜された側壁を有するコンタクトホールを形成する方法を提供することにある。【構成】 導電層(100)上に絶縁膜(1)を形成する段階;前記絶縁膜(1)の所定部分に垂直側壁を有するコンタクトホール(2)を形成して前記導電層(100)表面を露出する段階;前記コンタクトホール(2)の形成された絶縁膜(1)をスパッタエッチングしてコンタクトホール(2)上部を傾斜させるとともに、前記スパッタエッチングにより生成されたエッチング副産物(4)がコンタクトホール側壁に再付着されるようにしてコンタクトホール側壁が全体的に緩慢な傾斜をなすようにする段階;を含む。

Claim (excerpt)：

導電層(100)上に絶縁膜(1)を形成する段階;前記絶縁膜(1)の所定部分に垂直側壁を有するコンタクトホール(2)を形成して前記導電層(100)表面を露出する段階;前記コンタクトホール(2)の形成された絶縁膜(1)をスパッタエッチングしてコンタクトホール(2)上部を傾斜させるとともに、前記スパッタエッチングにより生成されたエッチング副産物(4)がコンタクトホール側壁に再付着されるようにしてコンタクトホール側壁が全体的に緩慢な傾斜をなすようにする段階;を含むことを特徴とする超高集積半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 D