可動体変位検出装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210634
Publication number (International publication number)：1995063505
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率が大きいとともに着磁面に対する磁気抵抗素子の位置合わせが容易な可動体変位検出装置を提供することにある。【構成】ドライブギヤの回転に伴って回転する磁石には、その上面にN極,S極が中心から等角度で交互に着磁されている。磁石の着磁面に対し離間してICチップが対向して配置されている。ICチップには磁気抵抗素子が配置されている。この磁気抵抗素子は、単結晶シリコン基板6の上面に数Å〜数10Åの磁性層のCo膜11と数Å〜数10Åの非磁性層のCu膜10とを交互に繰り返し積層することにより形成されている。

Claim (excerpt)：

異なる磁極を交互に着磁した着磁面を有する可動体と、前記可動体の着磁面と離間状態で対向配置され、磁性の薄層と非磁性の薄層とを交互に繰り返し積層することにより形成された磁気抵抗素子と、を備えたことを特徴とする可動体変位検出装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁気抵抗素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-104785 Applicant：株式会社豊田中央研究所
特開平1-121721

Cited by examiner (3)

特開平1-121721
磁気抵抗素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-104785 Applicant：株式会社豊田中央研究所
特開平1-121721

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