誘電体膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：笹島富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000331693
Publication number (International publication number)：2001217409
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】キャパシタの蓄電容量を増大すると共に、シリコン下部電極との間の界面特性を向上させて、キャパシタの漏洩電流を減らし得る誘電体膜を形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン下部電極10に第1次熱処理を施して、該シリコン下部電極10の上面に窒素酸化物から成る第1絶縁膜13を形成した後、該第1絶縁膜13を食刻し、その食刻後の上面に第2絶縁膜15を形成した後、第2絶縁膜15を包含する全ての構造に第2次熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

シリコン下部電極に第1次熱処理を施して、該シリコン下部電極の上面に窒素酸化物から成る第1絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜を食刻する段階と、前記第1絶縁膜の食刻後の表面上に第2絶縁膜を形成する段階と、を順次行うことを特徴とする誘電体膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/105

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 621 Z

F-Term (9)：

5F083AD21 , 5F083AD60 , 5F083FR01 , 5F083GA09 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089465 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-031038 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-223366

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