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J-GLOBAL ID：200903048243134518

半導体装置の製造方法

Inventor： 松倉 祐輔
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264411
Publication number (International publication number)：1999102895
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 化合物半導体層をドライエッチングする半導体装置の製造方法に関し、低いガス圧であっても高い選択性で化合物半導体層をエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 塩素を含むガスとフッ素を含むガスとを含むエッチングガスを用いて化合物半導体層16をエッチングする半導体装置の製造方法であって、プラズマ中の電子温度の上昇を抑えるように制御して化合物半導体層16をエッチングする。

Claim (excerpt)：

塩素を含むガスとフッ素を含むガスとを含むエッチングガスを用いて化合物半導体層をエッチングする半導体装置の製造方法であって、プラズマ中の電子温度の上昇を抑えるように制御して前記化合物半導体層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。