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J-GLOBAL ID：200903048252766713

配向性強誘電体薄膜

Inventor： 梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297621
Publication number (International publication number)：1995133199
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性メモリーやキャパシター等の電子素子、光変調素子などの作製に適した配向性強誘電体薄膜を提供する。【構成】 本発明の配向性強誘電体薄膜は、単結晶基板1a上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型導電性薄膜2が形成され、更にその上にエピタキシャルまたは配向性のABO3 型強誘電体薄膜3が形成されている。単結晶基板としては、酸化物単結晶または半導体単結晶が用いられ、その表面にエピタキシャルまたは配向性のバッファ層を有するものが好ましい。また、導電性薄膜としては、BaPbO3 が好ましく用いられる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型導電性薄膜が形成され、更にその上にエピタキシャルまたは配向性のABO3 型強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜。

IPC (7)：

C30B 29/22 ,  C30B 19/00 ,  C30B 23/08 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036026   Applicant：シャープ株式会社