Pat
J-GLOBAL ID：200903048255604870
不揮発性ランダムアクセスメモリ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003343947
Publication number (International publication number)：2004146820
Application date： Oct. 02, 2003
Publication date： May. 20, 2004
Summary：
【課題】 十分なスピンコヒーレンス長および均一なスピン場を有する常磁性層を得ることができ、これにより実用化を図ることのできる不揮発性ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】 常磁性層24は、例えば厚さが0.5nm以上5μm以下の内包フラーレン薄膜である。フラーレンは、例えば大きさが0.1nm以上50nm以下の中空を有しており、この中空に常磁性材料が内包されている。内包フラーレン薄膜は、フェルミベクトルが強磁性固定層23および強磁性自由層25の少数スピンバンドまたは多数スピンバンドとよく重なっており、また、内包されている常磁性材料のスピンの配向がランダムとなっている。更に、フラーレン内の電子スピンは、擬0次元空間で量子化された状態にある。これにより内包フラーレン薄膜ではスピンコヒーレンス長が長くなり、スピン偏極した伝導電子の散乱がなくなる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
複数のメモリセルにより構成され、スピン偏極した電子の注入により前記メモリセルの記録情報の書き込みが行われる不揮発性ランダムアクセスメモリであって、
前記メモリセルは、
磁化の向きが固定される第1の強磁性層と、
中空を有し、前記中空に常磁性材料が内包されると共に所定のスピンコヒーレンス長を有する球殻状分子材料からなり、前記第1の強磁性層の一面に形成された常磁性層と、
前記常磁性層における前記第1の強磁性層が形成された面とは反対側の面に形成され、前記スピン偏極した電子により磁化の向きが変化する第2の強磁性層とを備え、
前記第2の強磁性層の磁化の向きの変化により前記記録情報の書き込みが行われる
ことを特徴とする不揮発性ランダムアクセスメモリ。
IPC (6)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01F10/12
, H01F10/32
, H01L43/08
, H01L43/10
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01F10/12
, H01F10/32
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
5E049AA10
, 5E049BA06
, 5F083FZ10
, 5F083JA38
