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J-GLOBAL ID：200903048255892566

有機薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置における電極構造の製造方法

Inventor： 池津 勇一 ,  鈴木 博
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998109448
Publication number (International publication number)：1998294183
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 陽極のパターンエッジにおいて、有機薄膜の段差切れに起因する陽極と陰極とのショートを防止し、併せて陽極の低抵抗化を図る。また、陽極からの不要なキャリア注入による発光効率の低下を防止する。【解決手段】 透明性基板1上に形成されたITO膜2、ITO膜2の両側面に接触して形成された良導電性金属3をそれぞれフォトマスク44,45を用いてパターニングする。そのパターニングの際に用いるフォトマスク45の遮光パターンは、フォトマスク44の遮光パターンの線幅より狭いものを用いる。

Claim (excerpt)：

透明電極パターン形成工程と、良導電性金属パターン形成工程とを有し、透光性の基板上に陽極を形成する有機薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置における電極構造の製造方法であって、前記陽極は、透明電極からなるパターンと、良導電性金属からなるパターンとから構成されるものであり、前記透明電極パターン形成工程は、透明性基板上に形成されたITO膜を、ストライプ状の遮光パターンをもつ第1のフォトマスクを用いてパターニングして前記透明電極のパターンを形成する処理を行ない、前記良導電性金属パターン形成工程は、前記透明電極パターンの両側面に接触して形成された良導電性金属膜を第2のフォトマスクを用いてパターニングして前記良導電性金属のパターンを形成する処理を行なうものであり、第2のフォトマスクの遮光パターンとして、第1のフォトマスクの遮光パターンの線幅より狭いものを用いることを特徴とする有機薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置における電極構造の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/28 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3)：

H05B 33/28 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A