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J-GLOBAL ID：200903048261139160

半導体ウェーハの保護膜形成方法及び同装置

Inventor： 平 塚 八 郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992238344
Publication number (International publication number)：1994084887
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【構成】 ウェーハ1の汚染層2を各種薬液で除去し、表面を清浄化する。その後、ウェーハ1を酸素含有の気相又は液相中に置き、直ちに184.9nm及び253.7nmに主発光スペクトルを持つ紫外光を照射することで、ウェーハ1表面に保護膜となる酸化膜3を短時間で形成する。この高清浄度条件での酸化処理により、汚染物フリーで屈折率1.45±0.02の範囲内の純粋な酸化膜が得られる。【効果】 表面安定度高く、外部環境からの汚染付着率を低くするウェーハ表面保護膜が得られる。紫外線光源として身近な光源を利用できる。通常プロセス中のウェーハ地肌露出工程直後への導入により露出部の選択的洗浄や保護膜形成が可能となり、ウェーハをプロセス内滞留時の汚染から保護することができる。

Claim (excerpt)：

被処理半導体ウェーハ表面上の汚染層を除去して該被処理半導体ウェーハ表面を清浄化する表面清浄化工程と、その後、前記被処理半導体ウェーハを酸素含有の気相または液相中に置き、該被処理半導体ウェーハ表面が一定の清浄状態に維持されている間に、184.9nm及び253.7nmに主発光スペクトルを持つ紫外光を前記気相または液相に照射することにより、前記被処理半導体ウェーハの表面に保護膜としての酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを含んでいる半導体ウェーハの保護膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/31