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J-GLOBAL ID：200903048274843061
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175364
Publication number (International publication number)：1994021124
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【構成】プリント基板に電子部品を実装したときにおいて、リードフレームのダイパッド部分のインナーリード部分に対するオフセット量を通常よりも多く取ったリードフレームを作成し、突起状の加工がされた金型を用いてトランスファーモールドした後、パッケージの上面を梨地加工し導電性接着剤403によって放熱材401を取り付ける。【効果】部品の取り付け高さの低下、通常の鉄,ニッケル合金を使用した場合の耐湿性劣化を招くことなく、放熱性,実装時の熱ストレス,ボンディングおよびチップ上の剪断応力の緩和にも優れており部品自体の寿命を伸ばすことが可能となる。
Claim (excerpt)：
(1)リードフレームのダイパッド部分をオフセットすることによって半導体チップの上下バランスを調整する工程と(2)封止樹脂用金型を用いてトランスファーモールドする工程と(3)部品上面を梨地加工する工程と(4)導電性接着剤等によって放熱材を取り付ける工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, H01L 23/40
, B29L 31:34
