Pat

J-GLOBAL ID：200903048286163295

高純度パラタングステン酸アンモニウム結晶の製造方法

Inventor： 緒方 俊 ,  関口 淳之輔 ,  菅原 静郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992227779
Publication number (International publication number)：1994056427
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 放射性元素及び遷移元素等の不純物に対する精製効果に特に優れた高純度パラタングステン酸アンモニウム結晶の製造方法の確立。【構成】 メタタングステン酸アンモニウムを水に溶解して含タングステン水溶液を生成し、含タングステン水溶液(好ましくはpH:5.0〜7.0)をリン酸型又はアミドキシム型キレート樹脂と接触させ精製パラタングステン酸アンモニウム結晶析出母液を生成し、精製パラタングステン酸アンモニウム結晶析出母液を好ましくはpHを6.0〜8.0に調整し、50°C以上に加熱することによりパラタングステン酸アンモニウム結晶を析出させる。放射性元素を0.01ppb未満まで、遷移元素0.3ppm未満まで低減できるので、半導体デバイス作製用のスパッタリングターゲットの原料として有用である。

Claim (excerpt)：

(イ)メタタングステン酸アンモニウムを水に溶解して含タングステン水溶液を生成し、(ロ)該含タングステン水溶液をリン酸型又はアミドキシム型キレート樹脂と接触させて精製パラタングステン酸アンモニウム結晶析出母液を生成し、そして(ハ)該精製パラタングステン酸アンモニウム結晶析出母液のpHを調整後加熱することによりパラタングステン酸アンモニウム結晶を析出させることを特徴とする高純度パラタングステン酸アンモニウム結晶の製造方法。