Pat

J-GLOBAL ID：200903048291023167

回路評価方法及び回路評価装置

Inventor： 森下 剛光
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994046192
Publication number (International publication number)：1995260882
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 LSIとして形成される回路の静電気耐圧を評価する評価方法及び評価装置に関し、静電気耐圧の評価精度を向上させることができる回路評価方法及び評価装置を提供することを目的とする。【構成】 レイアウト図よりデバイスシミュレーションを行なう部分を抽出し、抽出した部分の構造に基づいてデバイスシミュレーションを行なうと共に抽出した部分を一つの素子に見立てて回路全体の集中定数回路を作成し、回路シミュレーションを行ない、抽出した部分に供給される電圧及び電流を算出し、算出された電圧及び電流に基づいて抽出した部分で発生する熱エネルギーを求め、回路の耐熱エネルギーと比較して回路構成の良否を評価する。

Claim (excerpt)：

評価しようとする回路より、所定の部分を選択する第1の手順(S2)と、前記第1の手順(S2)で選択された前記所定の部分の構造に基づいて前記所定の部分で生じる熱エネルギーと、前記所定の部分以外の前記評価しようとする回路の電磁気的特性に基づいて生じる熱エネルギーとを算出する第2の手順(S3,S4,S6,S7,S8)と、前記第2の手順(S3,S4,S6,S7,S8)で算出された前記熱エネルギーに基づいて前記回路の評価を行なう第3の手順(S9,S10)とよりなる回路評価方法。

IPC (3)：

G01R 31/28 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/66

FI (2)：

G01R 31/28 F ,  G06F 15/60 360 A