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J-GLOBAL ID：200903048303437744

プラズマエッチング方法

Inventor： 林 重徳 ,  山中 通成 ,  久保田 正文
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998020948
Publication number (International publication number)：1999219938
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 マイクロローディング効果のおもな原因と考えられるラジカルあるいは反応生成物の輸送過程に起因した問題、あるいはエッチング形状の異常、特にゲートエッチングにおけるノッチのおもな原因と考えられるチャージアップに起因した問題を解決しうるプラズマエッチング方法を得る。【解決手段】 真空室に供給された反応ガスを、真空室に供給される高周波電力5によりプラズマ化し、そのプラズマ6で真空室内の試料7をエッチングするプラズマエッチング方法であって、被エッチング試料7へ投入するバイアス電力をパルス変調または供給する反応ガスを交互に切り替えて供給するものである。または、被エッチング試料7のオーバーエッチ時に、供給する高周波電力5をパルス変調する。

Claim (excerpt)：

真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前記真空室内の試料をエッチングするプラズマエッチング方法であって、被エッチング試料へ投入するバイアス電力をパルス変調することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A