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J-GLOBAL ID：200903048337720143

レーザCVD法による薄膜形成方法および装置

Inventor： 村上 進午
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995333850
Publication number (International publication number)：1996239766
Application date： Dec. 22, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 反応室に供給すべきCVD原料ガスの濃度を精度良く制御するとともに、応答性良くその濃度を変更することが可能なCVD装置を提供する。【解決手段】 CVD原料ガス101を、分子量が互いに異なる少なくとも2種類のキャリアガス120および121が混合された混合ガスを用いて基板104が置かれるチェンバ103内に供給する。CVD原料ガス101を含む雰囲気中に置かれた基板104上にレーザ光106を照射して、CVD原料ガス101を分解し、その基板104上に薄膜を堆積させる。

Claim (excerpt)：

原料気体を、分子量が互いに異なる少なくとも2種類の気体が混合された混合ガスを用いて被対象物が置かれる反応室内に供給するステップと、前記被対象物上にレーザ光を照射することによって、薄膜を形成するステップとを含むことを特徴とするレーザCVD法による薄膜形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/48 ,  B01J 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01S 3/00

FI (6)：

C23C 16/48 ,  B01J 19/12 G ,  B01J 19/12 B ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-136682
  
• 特開昭60-241219
  
• 特開平3-075207