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J-GLOBAL ID：200903048339108755
半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118059
Publication number (International publication number)：1995326822
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 耐逆バイアス性を有する半導体レーザを提供する。【構成】 基板10を共通としたレーザ共振器部101及びダイオード103を具えている。レーザ共振器部は基板の裏面に設けられた第一オーミック電極26と、基板と、基板上に設けられたレーザ共振層11と、このレーザ共振層の上面に設けられた第二オーミック電極24とを具えている。ダイオードは基板と、基板の上側に設けられた第一導電層32及び第二導電層34を有する整流層30と、互いに離間配設されて第二導電層上に設けられた第三オーミック電極38及び第一導電層上に設けられた第四オーミック電極40とを具えている。
Claim (excerpt)：
基板を共通としたレーザ共振器部及びダイオードを具え、前記レーザ共振器部は、前記基板の裏面に設けられた第一オーミック電極と、前記基板と、該基板上に設けられたレーザ共振層と、該レーザ共振層の上面に設けられた第二オーミック電極とを具え、前記ダイオードは、前記基板と、該基板の上側に設けられた第一導電層及び第二導電層を有する整流層と、前記第二導電層上に設けれた第三オーミック電極及び前記第一導電層上に設けられた第四オーミック電極とを具え、前記第一オーミック電極と前記第三オーミック電極を接続し、かつ前記第二オーミック電極と第四オーミック電極を接続して動作させる場合に、前記第一オーミック電極と前記第二オーミック電極間にバイアス電圧を印加したときは、前記レーザ共振器部に順方向の電流が流れるが前記ダイオードには電流は流れないようにし、及び前記第一オーミック電極及び前記第二オーミック電極間に逆バイアス電圧を印加したときは、前記ダイオードにのみ電流が流れるように、前記レーザ共振器部及び前記ダイオードを構成してなることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
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