Pat

J-GLOBAL ID：200903048341149418

半導体レーザ

Inventor： 渡辺 和昭
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992277292
Publication number (International publication number)：1994132604
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 発振波長が850nm以上であり、かつ最高出力が50W以上である半導体レーザを提供する。【構成】 クラッド層のAl組成をx=0.28 以上として構造の最適化を行なうことにより、半導体レ-ザの発光効率、特性温度の向上を図る。また、クラッド層と光導波路層との間にブロック層を挿入することによって、クラッド層のAl組成を上げる事なく発光効率、特性温度の改善を図る。【効果】 構造の最適化により、発振波長が850nm以上、最高出力が60Wにもおよぶ量子井戸半導体レ-ザの作製が可能となった。

Claim (excerpt)：

AlGaAs系化合物半導体の積層構造からなる光導波路を有する半導体レーザにおいて、その活性層は複数の井戸層および障壁層よりなる量子井戸構造を有し、かつその発振波長が850nm以上であることを特徴とする半導体レーザ。