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J-GLOBAL ID：200903048343867903

エッチング方法と装置

Inventor： 芦田 敏和
Applicant, Patent owner： 株式会社芦田
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992173479
Publication number (International publication number)：1994120176
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【構成】 低級炭化水素、あるいはさらにH2 含有のガスにより、酸化物導電性膜を上部電極31および下部電極32を有する反応装置において、下部電極32に基板1を載置して低温プラズマエッチングする。【効果】 高精度、高効率でのドライ(気相)エッチングが実現される。

Claim (excerpt)：

低級炭化水素含有ガスにより低温プラズマエッチングすることを特徴とする酸化物導電性膜のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00