電界効果トランジスタ及びそのゲート電極の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997010388
Publication number (International publication number)：1998209177
Application date： Jan. 23, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極におけるリーク電流、ゲート容量の増加を抑制したまま、マスク開口パターンよりも短いゲート長を制御性良くし、かつ歩留まりの高いゲート構造とその形成方法を提供し、10GHzを越えるような高周波領域において優れた特性を得る電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】キャリア供給層はn-AlGaAs層(Al組成0.22、膜厚20nm、Siドーピング濃度1×1018cm-3)、ショットキー層はAlGaAs層(Al同組成、膜厚10nm)、キャップ層はGaAs層(膜厚140nm)を形成し、更にGaAsキャップ層及びAlGaAsショットキー層の一部をV字にエッチング({111}面を露出、GaAsキャップ層表面開口幅250nm)し、V字の部分にショットキーゲート電極(材料WSi)を形成し、更にソース電極とドレイン電極(材料AuGe/Ni/Au)を形成する。

Claim (excerpt)：

閃亜鉛鉱型半導体を用い、かつショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、電流の流れる方向に平行でかつショットキーゲート電極が接している半導体表面に垂直な一平面を切断面としてショットキーゲート電極を観察したとき、ショットキーゲート電極の半導体と接する部分がV字型となっており、かつ動作時の電流の方向が、ソース電極またはドレイン電極と半導体が接している面に対して平行であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭58-143577
特開昭59-072771
特開昭52-045280

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