Pat

J-GLOBAL ID：200903048355047685

炭化けい素電子デバイスの製造方法

Inventor： 荻野 慎次 ,  漆谷 多二男 ,  金丸 浩
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994033983
Publication number (International publication number)：1995245276
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】SiC基体上にNi電極を設けると、熱処理中にNiとSiおよびCの相互拡散により、電極部の接触抵抗が増大する問題を解決する。【構成】SiC基体の上に直接Ni電極を形成せず、WあるいはW-Si合金からなる中間層を介在させることにより、相互拡散を阻止することができ、高温保持でも接触抵抗の増大しない安定な電極をもつSiC電子デバイスが得られる。Ni層の上にAu層を積層すれば、ボンディングが容易になる。

Claim (excerpt)：

n形炭化けい素基体上にタングステン層を介して少なくともタングステン層側がニッケル層である導電性金属層を積層したのち、熱処理を施して電極を形成する炭化けい素電子デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  C01B 31/36