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J-GLOBAL ID：200903048371434214

多結晶半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置

Inventor： 綾 洋一郎 ,  納田 朋幸 ,  佐野 景一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995311441
Publication number (International publication number)：1996213637
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 表面が平坦でありかつ結晶粒径の均一化を行うことにより特性の均一化が図れる多結晶半導体膜の製造方法、その製造方法によって形成されたTFT及びそのTFTを用いて良好な表示の得られる表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 多結晶半導体膜8に傾斜部6aを設ける。

Claim (excerpt)：

基板上にアイランド状に設けられた非晶質半導体薄膜をレーザビームを照射することにより再結晶化させて多結晶半導体膜を形成する多結晶半導体膜の製造方法において、前記非晶質半導体薄膜の前記レーザビームによる熱集中が生じる部位の表面が、前記レーザビームの照射方向に対して傾斜を持たせたことを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/764 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/76 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-343943   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所