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J-GLOBAL ID：200903048373736765

電力用素子

Inventor： 四戸 孝 ,  茂木 直人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274536
Publication number (International publication number)：2000106435
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 オン電圧の小さな電力用半導体素子を提供すること。【解決手段】 基板に設けられた第1導電型半導体領域1と、第2導電型半導体領域3とを備え、第1導電型半導体領域1と第2導電型半導体領域3との間に形成されるPN接合2の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が0.5μm以下である電力用素子を提供する。先鋭化されたPN接合2を形成することにより、ビルトインポテンシャルを低下させてオン電圧を低減する。

Claim (excerpt)：

基板に設けられた第1導電型半導体領域と、第2導電型半導体領域とを備え、前記第1導電型半導体領域と第2導電型半導体領域との間に形成される接合の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が0.5μm以下であることを特徴とする電力用素子。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/872

FI (4)：

H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 653 A

F-Term (9)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-012174