Pat

J-GLOBAL ID：200903048382649891

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 赤司 圭介 ,  宮崎 敏英 ,  田首 篤
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996080721
Publication number (International publication number)：1997246253
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 臭素等を含むガスを用いて大きな段差上の多結晶シリコンをドライエッチングする半導体装置の製造方法において、柱状残渣を生じることなく、かつ同一装置で連続してエッチングを行える半導体製造装置を提供する。【解決手段】 筺体6内でプラズマを発生させ、下部電極14と上部電極16との間に電界を発生させて、下部電極14上に載置された半導体ウエハ15をエッチングする。スイッチ7と8とを適宜切り換えることにより高周波RF発振器9と低周波RF発振器10とを適宜選択して使用することで、半導体ウエハ15上に堆積された多結晶シリコン膜のエッチング処理を行う。

Claim (excerpt)：

被エッチング物となる半導体ウエハが載置される第1の電極と、前記第1の電極の上方に前記第1の電極と所定距離離間し対向して設けられた第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極とを収納するための筐体と、グラウンドに接続されており、前記第2の電極に第1の所定周波数の周波を印加するための第1の発振器と、前記第1の発振器と前記第2の電極とを電気的に接続するための第1のスイッチと、グラウンドに接続されており、前記第2の電極に前記第1の所定周波数と異なる第2の所定周波数の周波を印加するための第2の発振器と、前記第2の発振器と前記第2の電極とを電気的に接続するための第2スイッチとを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 L ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 R