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J-GLOBAL ID：200903048394518253

熱電半導体材料または素子の製造方法および熱電モジュールの製造方法

Inventor： 李 鎔勲 ,  梶浦 豪二
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所
Agent (1)： 木村 高久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166113
Publication number (International publication number)：2001053344
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】熱電性能の向上に有効な熱電半導体材料または素子の製造方法および熱電モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】ビスマス-テルル系の様な層状構造化合物からなる熱電素子の製造において、急冷ロール法で得られた薄状粉12の積層体14を形成し、積層方向と平行な方向から積層体を押圧するとともに(垂直押圧P1)、積層方向と直交する方向から積層体を押圧する(側面押圧P2)。垂直押圧P1と側面押圧P2は同時に行ってもよいし、垂直押圧P1を行った後で、側面押圧P2を行ってもよい。押圧力の関係は、側面押圧P2を垂直押圧P1より大きくすることにより結晶粒10に均等な力が加わりC面がキヤリヤの進行方向に沿ってより好適な起立状態を得る。

Claim (excerpt)：

層状構造化合物の結晶粒(10)を複数含む薄状粉(12)を該薄状粉の膜厚方向に積層し、得られた積層体(14)を押圧して熱電半導体材料または熱電半導体素子を製造する方法において、前記押圧は、前記薄状粉の積層方向と直交する方向から行うことを特徴とする熱電半導体材料または素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 35/34 ,  B22F 3/02 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32

FI (5)：

H01L 35/34 ,  B22F 3/02 A ,  B22F 3/02 P ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 熱電材料の製造方法及び熱電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-196164   Applicant：ヤマハ株式会社